深亞電子,中高端pcb設計、pcb制板、元器件選型、SMT貼裝一站式服務
傳ASMPT與美光聯(lián)合開發(fā)下一代HBM4鍵合設備
- 發(fā)布時間:2024-06-28 17:32:41
- 瀏覽量:805
分享:
據(jù)韓媒報道,韓國后端設備制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高帶寬內存 (HBM) 生產的演示熱壓 (TC) 鍵合機。雙方已開始聯(lián)合開發(fā)下一代鍵合機,用于HBM4生產。
根據(jù)報道,美光還從日本新川半導體和韓美半導體采購TC鍵合機,用于生產HBM3E,于今年4月向韓美半導體提供了價值226億韓元的TC Bonder采購訂單。
據(jù)透露,美光正在使用熱壓非導電薄膜 (TC-NCF) 工藝制造 HBM3E,該種工藝很可能會在下一代產品 HBM4 中采用。HBM4 16H產品正在考慮使用混合鍵合。
此外,目前美光最大的HBM生產基地在臺灣地區(qū),另據(jù)日經(jīng)亞洲引述知情人士透露,美光科技正在美國建設先進高帶寬存儲(HBM)芯片的測試生產線,并首次考慮在馬來西亞生產HBM,滿足AI熱潮帶來的更多需求。
美光曾表示,公司目前正積極強化HBM技術并同步擴充產能,公司目標是到2025年將HBM(AI芯片的關鍵組件)的市場份額提高三倍以上,達到20%左右。
THE END
免責聲明:部分文章信息來源于網(wǎng)絡以及網(wǎng)友投稿,本網(wǎng)站只負責對文章進行整理、排版、編輯,意為分享交流傳遞信息,并不意味著贊同其觀點或證實其內容的真實性,如本站文章和轉稿涉及版權等問題,請作者在及時聯(lián)系本站,我們會盡快和您對接處理。
