半導體放電管是一種過壓保護器件，是利用晶閘管原理制成的，依靠PN結(jié)的擊穿電流觸發(fā)器件導通放電，可以流過很大的浪涌電流或脈沖電流。其擊穿電壓的范圍，構(gòu)成了過壓保護的范圍。

半導體放電管也稱固態(tài)放電管是一種PNP元件，當外加電壓低于斷態(tài)電壓時，器件處于斷開狀態(tài)；當電壓超過它的斷態(tài)峰值電壓時，半導體放電管會將瞬態(tài)電壓箝制到元件的轉(zhuǎn)折電壓內(nèi)；電壓繼續(xù)增大時，半導體放電管由于負阻效應進入導通狀態(tài)，這時近乎短路；當外加電壓恢復正常，電流能很快下降并低于維持電流，元件自動復位并恢復到高阻抗狀態(tài)。

是基于可控硅的原理和結(jié)構(gòu)的一種二端負阻器件，用于保護敏感易損的集成電路，使之免遭雷電和突波的沖擊而造成的損壞。它采用了先進的氣力注入技術(shù)，具有精確導通、快速響應、浪涌吸收組能力強、可靠性高等特點；廣泛應用于通訊交換設(shè)備中的程控交換機、電話機、傳真機、配線架、XDSL、通訊接口、通訊發(fā)射設(shè)備等一切需要防雷保護的領(lǐng)域，以保護其內(nèi)部的IC免受瞬間過電壓的沖擊和破壞。

半導體放電管特性參數(shù)：

①斷態(tài)電壓VRM與漏電流IRM：斷態(tài)電壓VRM表示半導體過壓保護器不導通的最高電壓，在這個電壓下只有很小的漏電流IRM。

②擊穿電壓VBR：通過規(guī)定的測試電流IR（一般為1mA）時的電壓，這是表示半導體過壓保護器開始導通的標志電壓。

③轉(zhuǎn)折電壓VBO與轉(zhuǎn)折電流IBO：當電壓升高達到轉(zhuǎn)折電壓VBO時，半導體過壓保護器完全導通，呈現(xiàn)很小的阻抗，兩端電壓VT立即下降到一個很低的數(shù)值（一般為5V左右）。

④峰值脈沖電流IPP：半導體過壓保護器能承受的最大脈沖電流。

⑤維持電流IH：半導體過壓保護器繼續(xù)保持導通狀態(tài)的最小電流。 一旦流過它的電流小于維持電流IH，它就恢復到截止狀態(tài)。

⑥靜態(tài)電容C：半導體過壓保護器在靜態(tài)時的電容值。